شبیه سازی خصوصیات ترانزیستور تک الکترونی دو جزیره ای توسط شبیه ساز سیمون
محل انتشار: دوازهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 2,516
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISCEE12_221
تاریخ نمایه سازی: 29 اسفند 1387
چکیده مقاله:
در این مطالعه مدار معادل و نمونه ای از کاربردهای ترانزیستورهای تک الکترونی یک جزیره ای و دو جزیره ای در مدارهای منطقی بررسی میشود. سپس به بررسی خصوصیات، مشخصه ها و مزایای یک نمونه خاص از ترانزیستور تک الکترونی چند جزیره ای، شامل سه جزیره مجزا به شکل T پرداخته خواهد میشود. قطعه را با استفاده از نرم افزار SIMON شبیه سازی میکنیم. مشخصه جریان-ولتاژ قطعه را جهت ثابت کردن مزیت های اصلی آن به عنوان یک المان در مدار تحلیل میکنیم. نتایج بررسی بیان کننده دو مزیت اصلی این قطعه خواهد بود که عبارتند از 1- سویچ جریان بین دو شاخه در دمای 30 درجه. 2-وجود ارتباط خازنی بین دو جزیره، که از آن برای انتقال تکی الکترون ها در بین دو جزیره استفاده میشود. بنابراین این قطعه تجمع پذیری بسیار بالایی داشته و می تواند در مداراتی با توان بسیار پایین به کار رود.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
کاوه شروین
دانشگاه آزاد اسلامی واحد اراک
رحیم فائز
دانشگاه صنعتی شریف، دانشکده مهندسی برق
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :