بررسی نویز MESFET ساخته شده با GaAS
محل انتشار: دوازهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,430
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISCEE12_212
تاریخ نمایه سازی: 29 اسفند 1387
چکیده مقاله:
در این مقاله جزئیات نویز فرکانس بالا، در ترانزیستورهای Mesfet با ساختار GaAs از دو دیدگاه در دو ناحیه خطی و اشباع وبا بکارگیری روش مونت کارلو مورد بررسی قرار می گیرد:در ابتدا با ثابت در نظر گرفتن ولتاژ درین -سورس و سپس با ثابت در نظر گرفتن ولتاژ گیت،.بدین منظور با استفاده از منحنی های انرژی ،میدان الکتریکی طولی و چگالی باربرها ،علت تغیرات مقدار نویز با افزایش ولتاژهای درین و گیت مورد تحلیل قرار می گیرد و علل نوسانات نویز جریان درین (id)S ارائه می شود.
کلیدواژه ها:
نویز GaAs Mesfet
نویسندگان
رحیم فائز
دانشگاه صنعتی شریف
پروانه فرجی
دانشگاه آزاد اسلامی - تهران مرکزی
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :