یک تقویت کننده ترارسانایی عملیاتی جدید دو طبقه مبتنی بر ترانزیستور اثر میدان نانو نوار گرافینی (GNRFET) در تکنولوژی 16 نانومتر

در این مقاله، یک تقویت کننده ترارسانایی عملیاتی (OTA) جدید کاملا تفاضلی بر اساس ترانزیستورهای اثر میدان نانو نوار گرافینی (GNRFET) ارایه می شود. برای دستیابی به بهره ولتاژ بالاتر از وارونگر double CMOS pair به جای وارونگر CMOS معمولی و یک ساختار دو طبقه استفاده شده است. اولین طبقه این OTA متشکل از یک مسیر پیشرو جهت حذف سیگنال های حالت مشترک و دومین طبقه شامل یک فیدبک حالت مشترک جهت تثبیت ولتاژ حالت مشترک خروجی می شود. این OTA با تکنولوژی 16nm MOS-GNRFET CMOS طراحی و شبیه سازی شده است. ولتاژ کاری این مدار 1 ولت بوده و بهره dc آن 40 دسی بل می باشد. فرکانس بهره واحد (UGF) برابر با 13/25 مگا هرتز بوده و حد فاز آن °58 است. توان مصرفی OTA پیشنهادی با بار خازنی 13 پیکو فاراد و بار مقاومتی 100 کیلو اهم در خروجی برابر با 77/5 میکرو وات بوده و برای کاربردهای ولتاژ پایین و توان پایین مناسب است.

کلیدواژه ها:

تقویت کننده ترارسانایی عملیاتی (OTA) ، ترانزیستور اثر میدان نانو نوار گرافینی (GNRFET) ، وارونگر double CMOS pair ، ساختار دو طبقه ، ولتاژ پایین و توان پایین