شبیه سازی حرارتی ترانزیستورهای اثر میدان نانوسیم استوانه ای

سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 409

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

NCNIEE05_112

تاریخ نمایه سازی: 22 دی 1396

چکیده مقاله:

در این مقاله اثر دما بر مشخصه جریان- ولتاژ و همچنین سد القایی درین (DIBL) در ترانزیستور اثر میدان نانوسیم استوانه ای مورد بررسی قرار گرفته شده است. ترانزیستور بررسی شده از جنس InAs می باشد و با استفاده از مدل انتقال رانش- نفوذ و نرم افزار سیلواکو شبیه سازی شده است. اثرات متقابل دما و ولتاژ گیت بررسی شده است. نتایج نشان می دهند در ولتاژ های پایین گیت، افزایش دما افزایش جریان عبوری از ترانزیستور را باعث می شود در صورتی که برای مقادیر بزرگ ولتاژ گیت، افزایش دما کاهش جریان و همچنین بهبود مشخصه DIBL را به همراه دارد.

کلیدواژه ها:

نویسندگان

غزال ذوالفقاری

گروه مهندسی برق- الکترونیک، پردیس علوم و تحقیقات دماوند، دانشگاه آزاد اسلامی، دماوند، ایران- گروه مهندسی برق- الکترونیک، واحد دماوند، دانشگاه آزاد اسلامی، دماوند، ایران

حجت الله خواجه صالحانی

گروه مهندسی برق- الکترونیک، واحد دماوند، دانشگاه آزاد اسلامی، دماوند، ایران