تحلیل ساختاری تزانزیستور های اثر میدانی براساس نانو لوله های کربنی (CNTFET)

با توجه به افزایش روز افزون نیاز به تراشه ھایی با ابعاد کوچک تر، استفاده از فناوری ھای جدید در ساخت ترانزیستورھا به عنوان جزء اصلی تراشه ھا ضروری به نظر می رسد. نانو تکنولوژی و الکترونیک مولکولی روشی نوین برای ساخت ترانزیستورھا در ابعاد کوچک است. در این مقاله ابتدا ساختار الکترونی، خصوصیات مکانیکی و الکتریکی و ھمچنین روش ھای ساخت نانو لوله ھای کربن بررسی می شود. سپس ترانزیستورھای اثر میدان نانو لوله کربن به لحاظ ساختار ھندسی روش ھای ساخت و پیاده سازی و ھمچنین نحوه عملکرد مورد بحث قرار می گیرند. در ادامه ویژگی ھای آن ھا با خصوصیات ترانزیستورھای اثر میدان سیلیکونی کنونی مقایسه می شود.

کلیدواژه های تحلیل ساختاری تزانزیستور های اثر میدانی براساس نانو لوله های کربنی (CNTFET):

نانو لوله کربن ، ترانزیستور اثر میدان نانو لوله کربن ، گرافن ، انتقال بالیستیک ، خصلت کایرالی