اثر میدان مغناطیسی خارجی و حضور ناخالصی هیدروژنی بر ضریب جذب اپتیکی خطی و غیر خطی مرتبه سوم نقاط کوانتومی GaAs
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 500
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
FCONF01_021
تاریخ نمایه سازی: 8 آذر 1396
چکیده مقاله:
در این مقاله به برر سی اثر میدان مغناطیسی بر ضریب جذب اپتیکی نقاط کونتومی کروی GaAs در حضور ناخالصی هیدروژنی میپردازیم. ویژه مقادیر و ویژه توابع با استفاده از تقریب جرم موثر و روش المان محدود محاسبه شده اند. سپس ضریب جذب اپتیکیخطی و غیر خطی مرتبه سوم به ازای مقادیر متفاوت شدت، زمان واهلش و اثر حضور ناخالصی مورد بررسی قرار گرفته اند. نتایجبدست آمده نشان می دهند که با افزایش میدان مغناطیسی ضریب جذب کل کاهش می یابد. همچنین با افزایش زمان واهلش و یاشدت ضریب جذب اپتیکی کاهش میابد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
امین محمدعلی زاده
گروه فیزیک، واحد مرودشت، دانشگاه آزاد اسلامی، مرودشت، ایران- دانش آموخته کارشناسی ارشد
مجتبی ثروت خواه
گروه فیزیک، واحد مرودشت، دانشگاه آزاد اسلامی، مرودشت، ایران- عضو هییت علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد مرودشت