بررسی تاثیر غلظت گرافن در خواص اپتوالکترونی نانوکامپوزیت گرافن- P3HT به روش نظریه تابعی چگالی

پلیمرهای مزدوج (به عنوان مثال پلی (3- هگزاتیوفین) P3HT) که در گروه نیمه رساناهای آلی قرار می گیرند امروزه توجهاتبسیاری را به دلیل خواص الکتریکی و فیزیکی و قیمت پایین به خود جلب کرده اند و می توانند هایگزین خوبی برای نیمه رساناهایمعدنی باشند، ولی گاف بین سطوح HOMO و LUMO ،(H-L) که یکی از مهمترین ویژگی های اپتوالکتریکی مواد است و رابطه یمستقیمی با رسانش الکتریکی دارد، در این پلیمرها نسبت به نیمه رساناهای معدنی بیشتر است، که یکی از دلایل براهه ی پاییندستگاه هایی است که با این پلیمرها ساخته می شوند. به همین منظور می توان موادی در کنار آنها قرار داد تا این گاف را تحت تاثیرقرار دهند. هدف اصلی این مطالعه، استفادها از نظریه تابعی چگالی به منظور بررسی تغییر گاف بین HOMO و LUMO نانوکامپوزیت های P3HT گرافن با غلظت های مختلف گرافن و مقایسه نتایج، با نتایج تجربی موجود می باشد. نتایج نشان می دهد که اضافه کردن گرافن با غلظت مناسب این خاصیت اپتوالکتریکی P3HT را تحت تاثیر قرار می دهد و باعث کاهش گاف H-L می گرددکه می تواند منجر به پیشرفت های خوبی در صنعت الکتریک از جمله سلول های خورشیدی آلی، دیودهای سرا ع کننده نور آلی،ترانزیستورهای اثرمیدانی آلی و ... شود.

کلیدواژه ها:

پلیمرهای مزدوج ، P3HT ، نیمه رساناهای آلی ، گرافن ، LUMO ، HOMO