طراحی و شبیه سازی یک تقویت کننده ترارسانایی خط تا خط ولتاژ کم و بهره بالا

در این مقاله، یک مدار تقویت کننده ترارسانایی عملیاتی دو طبقه در تکنولوژی 180 نانومتر CMOS برای کاربردهای ولتاژ پایین ارایه شده است. در طراحی این مدار از یک طبقه ورودی تقویت کننده خط تا خط که مبتنی بر روش نوینی برای ثابت نگه داشتن gm است و باعث بهبود سویینگ خروجی می شود، و طبقه خروجی پوش پول که باعث بهبود آهنگ گردش می شود، استفاده شده است. تقویت کننده ترارسانایی دو طبقه طراحی شده، دارای پهنای باند بهره واحد 7/1 مگاهرتز می باشد که به ازای بهره 62 دسی بل دریافت می شود. ولتاژ منبع تغذیه آن 1/5 ولت است و توان مصرفی در این مدار در حدود 351 میکرووات می باشد که در مقایسه با کارهای مشابه کاهش یافته است. CMRR برای این مدار 79/5 دسی بل، همچنین حاشیه فاز در حدود 51 درجه است که باعث می شود مدار پایداری خوبی داشته باشد.

کلیدواژه ها:

تقویت کننده ترارسانایی ، خط تا خط ، ولتاژ کم ، بهره بالا ، تکنیک ثابت نگه داشتن gm