ناشر تخصصی کنفرانس های ایران

لطفا کمی صبر نمایید

Publisher of Iranian Journals and Conference Proceedings

Please waite ..
ناشر تخصصی کنفرانسهای ایران
ورود |عضویت رایگان |راهنمای سایت |عضویت کتابخانه ها
عنوان
مقاله

بررسی لایه نازک مولیبدن کربید

سال انتشار: 1396
کد COI مقاله: NFSI01_216
زبان مقاله: فارسیمشاهده این مقاله: 328
نسخه کامل این مقاله ارائه نشده است و در دسترس نمی باشد

مشخصات نویسندگان مقاله بررسی لایه نازک مولیبدن کربید

سکینه مشکانی - مرکز تحقیقات فیزیک پلاسمای دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران، تهران، ایران،
لیلا اسلامی - مرکز تحقیقات فیزیک پلاسمای دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران، تهران، ایران،
محمود قرآن نویس - مرکز تحقیقات فیزیک پلاسمای دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران، تهران، ایران،
کتایون ایروانی - مرکز تحقیقات فیزیک پلاسمای دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران، تهران، ایران،

چکیده مقاله:

هدف اصلی از انجام این تحقیق رشد لایه نازک کربید مولیبدن بر روی استیل ضد زنگ 304 به روش PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) به منظور استفاده به عنوان دیواره داخلی توکامک می باشد. کربید فلزات گذار از جمله فلزات گروه 6 جدول تناوبی دارای ویژگی های منحصر به فردی از جمله سختی، بازتاب سطحی، مقاومت در برابر خوردگی، استحکام، رسانایی گرمایی و الکتریکی و پایداری حرارتی و شیمیایی و نقظه ذوب بالا می باشند که باعث شده تا کاربردهای وسیع علمی و صنعتی و... داشته باشد و مطالعات گسترده ای در این موضوع انجام شود. و نیز عدد اتمی بالای فلزات گذار و از جمله مولیبدن باعث شده است تا ناخالصی کمتری را وارد محیط پلاسما کنند. لذا به نظر میرسد تا کربید این فلزات همچون کربید تنگستن و کربید مولیبدن و... گزینه مناسبی برای پوشش دیواره اولیه راکتورهای همپوشی باشند.به منظور انجام این لایه نشانی از روش PECVD که یکی از روش های CVD (Chemical Vapor Deposition) میباشد استفاده شده است زیرا در این روش نسبت به سایر روش های CVD با توجه به حضور پلاسما در فرایند لایه نشانی، کنترل بهتری در رشد لایه مورد نظر لحاظ میشود همین امر سبب می شود تا لایه مناسب تری را برای استفاده در دیواره داخلی راکتور های همجوشی داشته باشیم. برای این منظور از دو گاز متان (CH4) و استیلن (C2H2) در ترکیب با گاز آرگون (Ar) به عنوان گازهای واکنش ( با چهار غلظت الف- CH4 10%+Ar 90%، ب- CH4 15%+Ar 85%، ج- C2H2 10%+Ar 90% و د- C2H2 15%+Ar 85% ) و ورقه مولیبدن به عنوان ماده هدف استفاده شده است، بطوریکه برای تشکیل لایه، هر نمونه به مدت 2 ساعت در معرض تابش پلاسمای سیستم قرار داشت. با توجه به اهمیت ضرورت شناخت لایه تشکیل شده آنالیز های مختلف شیمیایی، ریخت شناسی، ساختاری، مکانیکی و... به کمک آنالیز های XPS و XRD و AFM و SEM و Vickers Hardness بررسی شدند. طبق نتایج حاصل از آنالیز XPS از نمودار Binding energy برای Mo3d سه پیک در انرژی های 228.5 و 231.5 و 235.5 الکترون ولت برای دو نمونه CH4 – 15% و C2H2 – 10% مشاهده شد. در آنالیز XRD ساختارهای کریستالی متفاوتی رشد کرده اند که در این بین پیک های قالب این ساختار ها برای نمونه CH4-10% بصورت MoC (111) برای CH4-15% بصورت MoC (200) و Mo2C(100)، برای نمونه C2H2-10% به شکل MoC (111) و Mo2C (110)و نهایتا در نمونه C2H2-15% به شکل MoC(111) و Mo2C(101) می باشند. ویژگی های ریخت شناسی مثل آنالیز motifs و Histogram و statistical parameters و.... لایه نازک با استفاده از آنالیز AFM و نرم افزارهای mountain map premium و Gwyddion گرفته شد. که طبق آنچه از تصاویر دو بعدی و سه بعدی بدست آمد ضخامت لایه کربید مولیبدن هم برای CH4 و هم برای C2H2 و میزان زبری سطح با افزایش درصد گاز های کربنی واکنش دهنده افزایش یافته است. در نمودار Histogram حفره های موجود بر روی سطح نمونه های سنتز شده به تصویر کشیده شده است. طبق نتایج تصاویر حرارتی آنالیز Motifs میتوان گفت افزایش غلظت گاز CH4 موجب کاهش اندازه دانه های کربید مولیبدن شده است ولی در مورد گاز C2H2 اندازه دانه های رشد کرده افزایش یافته است. نتیجه ای که می توان از آنالیز Statistical Parameters گرفت اینست که با افزایش غلظت گاز CH4 اغتشاشات روی سطح افزایش یافته در حالیکه برای نمونه های گاز C2H2 روند معکوسی را شاهد هستیم. از داده های نمودار تابع توان میزان تاثیر پذیری سطح برای نمونه های CH4 کمتر از نمونه های C2H2 است و با افزایش غلظت گازهای کربنی و افزایش ضخامت نمونه های کربید مولیبدن رشد داده شده، این تاثیر پذیری افزایش می یابد. طبق تصاویر بدست امده از آنالیز SEM سایز متوسط دانه ها با افزایش غلظت گاز کربنی کاهش یافته ولی پوشش لایه روی سطح نمونه و به طبع ناهمواری سطحی بیشتر شده است. جواب آنالیز سختی سنجی برای نمونه CH4 – 10% سختی ویکرز HV 270 و برای نمونه C2H2 – 15% سختی ویکرز HV 679 را گزارش کرده است که نتایج حاصل از این سختی سنجی با آنچه از آنالیز XRD بدست آمده برای ساختار پایدارتر MoC(111) کاملا همخوانی دارد. بنابراین با توجه به نتایج بدست آمده از این پژوهش، لایه کربید مولیبدن می تواند گزینه مناسبی به عنوان دیواره اولیه راکتور های همجوش باشد

کلیدواژه ها:

کد مقاله/لینک ثابت به این مقاله

کد یکتای اختصاصی (COI) این مقاله در پایگاه سیویلیکا NFSI01_216 میباشد و برای لینک دهی به این مقاله می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است و به عنوان سند ثبت مقاله در مرجع سیویلیکا مورد استفاده قرار میگیرد:

https://civilica.com/doc/671981/

نحوه استناد به مقاله:

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:
مشکانی، سکینه و اسلامی، لیلا و قرآن نویس، محمود و ایروانی، کتایون،1396،بررسی لایه نازک مولیبدن کربید،اولین کنفرانس ملی نانو از سنتز تا صنعت،تهران،https://civilica.com/doc/671981

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (1396، مشکانی، سکینه؛ لیلا اسلامی و محمود قرآن نویس و کتایون ایروانی)
برای بار دوم به بعد: (1396، مشکانی؛ اسلامی و قرآن نویس و ایروانی)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

مدیریت اطلاعات پژوهشی

صدور گواهی نمایه سازی | گزارش اشکال مقاله | من نویسنده این مقاله هستم

اطلاعات استنادی این مقاله را به نرم افزارهای مدیریت اطلاعات علمی و استنادی ارسال نمایید و در تحقیقات خود از آن استفاده نمایید.

علم سنجی و رتبه بندی مقاله

مشخصات مرکز تولید کننده این مقاله به صورت زیر است:
نوع مرکز: دانشگاه آزاد
تعداد مقالات: 33,949
در بخش علم سنجی پایگاه سیویلیکا می توانید رتبه بندی علمی مراکز دانشگاهی و پژوهشی کشور را بر اساس آمار مقالات نمایه شده مشاهده نمایید.

مقالات مرتبط جدید

به اشتراک گذاری این صفحه

اطلاعات بیشتر درباره COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.

پشتیبانی