مدل سازی و شبیه سازی ترانزیستور اثر میدانی با کانال دوبعدی MoS2

MoS2 یک لایه نازک از جنس مولیبدنیوم و گوگرد بوده که یک ماده نیمه هادی محسوب می شود. در حقیقت مواد لایه ای دیچالکوجناید فلزی گذری (TMD) کلاس دیگری از مواد دوبعدی را تشکیل می دهند که می توانند به صورت تک لایه یا چندلایه آماده شوند و وابسته به تعداد لایه هایشان، خواص الکترونیکی متفاوتی از خود نشان می دهند. در این مقاله مدل تنگ بست مناسب برای شبیه سازی ترانزیستور با کانال MoS2‎ ارایه می شود که برای دی کاکوژن ها در هر دو حالت تک لایه و چند لایه معتبر است. یک پارامتر سازی که شامل جفت شدگی اسپین-اوربیتال می شود نیز ارایه می شود. این مدل یک نقطه شروع مناسب برای محاسبات انتقال الکترونی اتمی، مقیاس بزرگ واقعی ارایه می دهد. بعد از انجام محاسبات به این نتیجه رسیدیم که Vds=1.5 و -.5