تجزیه و تحلیل آنتن پچ میکرواستریپ بر مبنای ساختارهای فوتونیک کریستال

در این مقاله یک آنتن پچ میکرواستریپ که در باند فرکانسی تراهرتز عمل می کند و بر روی یک زیر لایه فوتونیک کریستال دو بعدی ایجاد شده است مورد بررسی و شبیه سازی قرار می گیرد.به کمک این شبیه سازی آنتن طراحی شده مذکور می تواند در 5 نقطه فرکانسی در محدوده تراهرتز با راندمان تشعشعی بین70 تا 80 درصد تشعشع کند که نشان از عملکرد بهینه و مناسب این آنتن دارد.یکی از روش های افزایش گین در آنتن های پچ میکرواستریپ استفاده از زیر لایه های ضخیم دی الکتریک بعنوان زیر لایه آنتن میباشد که این امر موجب ایجاد امواج سطحی مزاحم بر روی آنتن و تضعیف عملکرد آنتن می شود.در این مقاله با استفاده از یک ساختار فوتونیک کریستال بعنوان زیر لایه آنتن شاهد کاهش تلفات ناشی از پدیدهانتشار امواج سطحی بر روی آنتن و همچنین افزایش چشمگیر گین،سمت گرایی و راندمان تشعشعی در این نوع از آنتن میکرواستریپ می باشیم.

کلیدواژه ها:

میکرواستریپ ، فوتونیک کریستال ، تراهرتز ، امواج سطحی ، راندمان آنتن