مقایسه ی تاثیر لایه های انباشت اکسید ITO و ZnO به عنوان بافر، در افزایش راندمان سلول خورشیدی CdTe/CdS

برای افزایش عملکرد سلول خورشیدی معمولا به آن لایه بافر اضافه می کنند. تغییر در جنس و ساختار لایه ی بافر می تواند موجب تغییرات اساسی در راندمان و همچنین سادگی یا پیچیدگی فرآیند ساخت و هزینه های آن باشد. جایگزینی لایه ی اکسید انباشته ی ZnO به عنوان بافر، به جای روش معمول، یعنی استفاده از لایه ی ITO (ایندیوم قلع اکسید، - Indium-Tin Oxide ، با فرمول شیمیایی In2O5Sn ) از جنبه های نو این پژوهش می باشد. با پیاده سازی سلول خورشیدی در نرم افزار کامسول و لحاظ معادلات ماکسول با پهنای نمونه ی، این سلول در مجاورت لایه ی بافر SnO2 به خروجی ولتاژی به میزان حدودا 47 / 0 ولت منتهی شد که در مقایسه با خروجی ولتاژ 44 / 0 ولت به ازای بهره گیری از لایه ی بافر ITO ، افزایش راندمان حدودا 15 % بدست آمد. همچنین این نتیجه حاصل گردید که با توجه به اینکه ITO از مشهورترین اکسید رسانای شفاف هست ولی دارای مقاومت پایین دردمای اتاق می باشد، اما در دمای بالا مقاومت آن افزایش می یابد. لذا برای رفع این مشکل و بهبود شرایط خروجی، از اکسید روی، ZnO استفاده شده است که مقاومت مذکور را تا 50 درصد کاهش می دهد.

کلیدواژه ها:

لاتین ITO ، ZnO ، کامسول ، سلول خورشیدی