بررسی عملکرد ناو ساختارهای نوین ترانزیستوری

پژوهش های اخیر صورت گرفته در حوزه طراحی و پیاده سازی مدارات الکترونیکی نشان می دهد که عملکرد ترانزیستورهای CMOS سیلیکونی به عنوان بنیان اساسی طراحی بسیاری از مدارات میکرو الکترونیک به دلیل وجود چالش های فرا رو از جنبه های مختلف فیزیکی، مواد مورد استفاده، توان گرمایی، فناوری ساخت و اقتصادی در فضای رقابت با همتایان از قبیل حوزه نانو الکترونیک تحت تاثیر قرار گرفته است. در این راستا پژوهشگران با معرفی فناوری های مختلف مانند ترانزیستورهای تک الکترونی، ترانزیستورهای نانو لوله کربنی، نانو سیم های سیلیکونی، اسپین ترونیک ها و.. به عنوان تکنولوژی های نوظهور سعی در غلبه بر کاسته های موجود نموده اند. در این مقاله که به تشریح عملکرد این فناوری های نوین ترانزیستوری پرداخته شده است، مزایا و معایب مربوط به هر فناوری ارایه گردیده است. براین اساس می توان انتظار داشت در آینده ضمن ادامه روند تحقق قانون گوردن مور، بسیاری از شرایط ایده آل مورد نظر طراحان در وند پیاده سازی قطعات دست یافتنی تر شود.

کلیدواژه ها:

ترانزیستور CMOS ، سیلیکونی ، نانو الکترونیک ، برهم کنش الکترونی