بهینه سازی تقویت کننده های noise low با استفاده از کاهش سایز ترانزیستورها

سال انتشار: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 449

فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

CECA03_023

تاریخ نمایه سازی: 13 شهریور 1396

چکیده مقاله:

شتر مدارها از اثر بدنه ترانزیستورهای cmos برای تامین ولتاژ )shold ther ) مورد نیاز جهت فعال سازی ترانزیستور استفاده می کنند. در نهایت از این تکنیک برای عملکرد تقویت کننده های با ورودی و خروجی های مختلف استفاده می شوند.مزیت استفاده از تکنولوژی )cmos )زیاد است که از آن ها می توان به قابل اعتماد بودن استفاده از ولتاژهای پایین اشاره نمود.عالوه بر آن ها گسترش استفاده از این انرژی سبب افزایش عمر باتری بعلت استفاده از نیروی کمتر ولتاژ اشاره نمود. با نگاهی به استانداردهای) pul-pash cmos آمپلی فایرها ( و تبدیل کننده ها و گیت های انتقال این نوع مدارها نیازمندی به منبعی که بتواند مجموع نیروی مغناطیس که بتواند آستانه تحمل کانال نوع n و p را تامین کند احساس می گردد. با توجه به مباحث مطروحه با استفاده از تکنولوژی های جدید در آپ امپ ها جهت کاهش مصرف انرژی می پردازیم. از این رو در ابتدا به بررسی ساختمان ترانزیستور های مورد استفاده در LNAها پرداخته و سپس راهکارهایی جهت رفع مشکلات بیان می کنیم.

کلیدواژه ها:

سنسور ، ترانزیستور ، آمپلی فایر کاهش مصرف انرژی

نویسندگان