یک تقویت کننده ترارسانایی عملیاتی دو طبقه جدید کاملا تفاضلی ولتاژ پایین و توان پایین با استفاده از تکنیک DTMOS

سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,173

فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF و WORD قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ELEMECHCONF04_479

تاریخ نمایه سازی: 11 مرداد 1396

چکیده مقاله:

در این مقاله، یک تقویت کننده ترارسانایی عملیاتی (OTA) جدید کاملا تفاضلی با استفاده از تکنیک ترانزیستور MOS با ولتاژ آستانه دینامیک (DTMOS) پیشنهاد شده است. برای دستیابی به بهره ولتاژ بالاتر یک ساختار دو طبقه استفاده شده است. اولین طبقه OTA پیشنهادی یک مسیر پیشرو جهت حذف سیگنال های حالت مشترک و دومین طبقه، فیدبک حالت مشترک جهت تثبیت ولتاژ حالت مشترک خروجی دارا می باشد. این OTA با تکنولوژی TSMC0.18µm CMOS طراحی و شبیه سازی شده است. ولتاژ کاری این مدار 1 ولت بوده و بهره آن 61 دسی بل می باشد. فرکانس بهره واحد (UGF) برابر با 1/14 مگا هرتز بوده و حد فاز °65 است. توان مصرفی OTA پیشنهادی با بار خازنی 13 پیکو فاراد و بار مقاومتی 100 کیلو اهم در خروجی برابر با 169 میکرو وات بوده و برای کاربردهای ولتاژ پایین و توان پایین مناسب است.

کلیدواژه ها:

تقویت کننده ترارسانایی عملیاتی (OTA) ، ساختار دو طبقه ، تکنیک ترانزیستور MOS با ولتاژ آستانه دینامیک (DTMOS) ، ولتاژ پایین و توان پایین

نویسندگان

امیر باغی رهین

مربی، گروه مهندسی برق، واحد سردرود، دانشگاه آزاد اسلامی، سردرود، ایران

وحید باغی رهین

مربی، گروه مهندسی برق، واحد سردرود، دانشگاه آزاد اسلامی، سردرود، ایران