طراحی یک سلول حافظه ایستا با قابلیت اطمینان بالا در برابر خطای نرم در تکنولوژی نانو لوله کربنی
محل انتشار: چهارمین کنفرانس ملی و دومین کنفرانس بین المللی پژوهش های کاربردی در مهندسی برق، مکانیک و مکاترونیک
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 497
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ELEMECHCONF04_121
تاریخ نمایه سازی: 11 مرداد 1396
چکیده مقاله:
در این مقاله یک نوع سلول حافظه ایستا با دستیابی تصادفی متشکل از 17 ترانزیستور و مقاوم در برابر خطای نرم ناشی از برخورد ذرات پر انرژی ارایه شده است. اساس کار سلول ارایه شده در این مقاله استفاده ازکلید های مکمل به منظور حذف بار تزریق شده ناشی از برخورد ذره پر انرژی که اساس آن استفاده از دو سیگنال تازه سازی قبل از عملیات نوشتن و خواندن جهت جلوگیری از انتشار خطای احتمالی و در نتیجه افزایش قابلیت اطمینان نهایی سلول می باشد. هدف از این مقاله معرفی سلول جدید حافظه با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله ی کربنی است که به نسبت به مدل CMOS مشابه آن، تاخیر کمتر و نیز توان مصرفی پایین تری داشته باشد. این تحقیق به کمک ابزار شبیه سازیHSPISE در تکنولوژی 32 نانومتر و 0.18 میکرو متر بوده و با به کارگیری مدل کتابخانه ای ارایه شده در دانشگاه استندفورد انجام شده است
کلیدواژه ها:
نانولوله کربنی ها ، سلول ایستا با دستیابی تصادفی ، تازه سازی ، خطای نرم ، توان مصرفی ، حاشیه نویز استاتیک
نویسندگان
مصطفی خیاطی
کارشناسی ارشد مهندسی برق-الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی
امیر نیکنام
کارشناس ارشد مهندسی برق-الکترونیک، دانشگاه گرمسار