طراحی و شبیه سازی تمام جمع کننده توان پایین و سرعت بالا با استفاده از نانو لوله های کربنی
محل انتشار: چهارمین کنفرانس ملی و دومین کنفرانس بین المللی پژوهش های کاربردی در مهندسی برق، مکانیک و مکاترونیک
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 497
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ELEMECHCONF04_051
تاریخ نمایه سازی: 11 مرداد 1396
چکیده مقاله:
در این مقاله یک سلول تمام جمع کننده یک بیتی و چهار بیتی CLA مبتنی بر CNFET سرعت بالا و با کارایی بالا برای کاربردهای ولتاژ پایین و توان پایین ارایه می شود. سلول تمام جمع کننده پیشنهادی با استفاده از روش GDI سیگنالهای Sum و Cout را تولید می کند. مزیت بزرگ ساختار پیشنهادی تعداد کمتر ترانزیستورهای استفاده شده می باشد که متشکل از 14 ترانزیستور CNT برای تمام جمع کننده یک بیتی است. آزمایش های جامع در شرایط مختلف به ازای ولتاژهای تغذیه، خازن های بار، فرکانس های کاری و دمای کاری مختلف برای ارزیابی عملکرد طرح پیشنهادی به انجام رسیده اند. شبیه سازی ها با استفاده از HSPICE Synopsys با فن آوری 32nm-CNFET انجام شده اند. نتایج شبیه سازی برتری طراحی پیشنهادی از نظر سرعت، توان مصرفی و حاصلضرب تاخیر در توان (PDP) را در مقایسه با سایر سلول های تمام جمع کننده کلاسیک مبتنی بر CMOS نشان می دهد.
کلیدواژه ها:
سلول تمام جمع کننده یک بیتی ، تمام جمع کننده چهار بیتی CLA ، ترانزیستور اثر میدان نانو لوله کربنی (CNTFET) ، روش GDI ، ولتاژ پایین و توان پایین ، حاصلضرب توان-تاخیر(PDP
نویسندگان
سیدقاسم بازیاری
گروه مهندسی برق-الکترونیک، واحد کازرون،دانشگاه آزاد اسلامی،کازرون،ایران
حمید آزادیان
گروه مهندسی برق-الکترونیک، واحد کازرون،دانشگاه آزاد اسلامی،کازرون،ایران
مهدی تقی زاده
گروه مهندسی برق-الکترونیک، واحد کازرون،دانشگاه آزاد اسلامی،کازرون،ایران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :