بررسی مشخصه های ناشی از تابش اشعه گاما در دیود نوری PIN ژرمانیومی

سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 600

فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF و WORD قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ELEMECHCONF04_020

تاریخ نمایه سازی: 11 مرداد 1396

چکیده مقاله:

تشعشع پرتوهای گاما بر دیود نوری ژرمانیومی PIN، پارامترهای مطلوب این فوتودیود را به خاطر آسیب های فیزیکی وارده، کاهش می دهد. در این مقاله، اثر دوز گاما بر جریان روشنی و تاریکی در دیود نوری PIN ژرمانیومی را بررسی، و برای تایید روابط تحلیلی، مدلی را به کمک نرم افزار سیلواکو-اطلس شبیه سازی کردیم. در این مدل، دیود نوری ژرمانیومی را در چندین بایاس معکوس، تحت تابش منبع گاما با طول موج 300 نانومتر قرار دادیم و به ارتباطی منطقی بین نتایج تحلیلی و شبیه سازی رسیدیم. نتایج نشان داد که جریان تاریکی در دیود نوری ژرمانیومی، توسط تابش دوزهای مختلف اشعه گاما، به طور قابل توجهی افزایش یافته است.

نویسندگان

هانیه کرم

مربی، دانشگاه کردستان

محمد رزاقی

دانشیار، دانشگاه کردستان

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • وانتشارات و چاپ دانشگاه تهران، 1387. چاپ دوم 4 صفحه ...
  • silicon wafers." Micro electron ics Journal 39.12 (2008): 1 485-1490. ...
  • _ _ _ _ _ _ _ _ tho fiAld ...
  • hvbrid photo diodes. _ Svntletic Metals (2016). ...
  • نمایش کامل مراجع