طراحی و شبیه سازی یک تقویت کننده عملیاتی با بهره ولتاژ بالا و توان مصرفی پایین با استفاده از تکنولوژی 180 نانومتر
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 396
فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
OUTLOOKECE01_096
تاریخ نمایه سازی: 11 مرداد 1396
چکیده مقاله:
یکی از کاربردیترین بلوکهای به کار رفته در سیستمهای آنالوگ و سیگنال مخلوط، تقویتکنندههای عمیاتی میباشند. تقویت کنندههای عملیاتی همهمنظوره میتوانند به عنوان جمعکننده، مشتقگیر، انتگرالگیر، بافر ، مقایسهکننده ، مبدل امپدانس منفی و سایر کاربردها استفاده شوند. در این مقاله ، طراحی و شبیهسازی یک تقویتکننده عملیاتی جدید با بهره بالا و توان پایین مبتنی بر ترانزیستورهای ماسفت با نرم افزار HSPICE و تکنولوژی 180 نانومتر به انجام رسید. مشخصات اصلی تقویتکننده پیشنهادی با ولتاژ تغذیه 8/1 ولت، بهره 96 دسی بل، حاشیه فاز 60 درجه، سویینگ خروجی 8/1 ولت، سرعت تغییرات خروجی 5 ولت بر میکروثانیه، فرکانس بهره واحد 82 مگاهرتز با خازن بار 1 پیکو فاراد بدست آمد. همچنین توان مصرفی این تقویتکننده عملیاتی برابر 304 میکرو وات می باشد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
محمد عمی
گروه مهندسی برق، دانشکده فنی و مهندسی ، دانشگاه آزاد اسلامی، واحد کرمانشاه، کرمانشاه، ایران.
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :