بیشینه تحقیقبررسی انواع ساختار تقویت کننده های کم نویز فوق پهن باندبهینه سازی و شبیه سازی انواع مدارهای LNA در رادار موج پیوسته
محل انتشار: اولین کنفرانس مجازی علوم مهندسی وفناوری نانو
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 637
فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NSTE01_047
تاریخ نمایه سازی: 11 مرداد 1396
چکیده مقاله:
مزیت قیمت مناسب، تجمع پذیری بالا و قابلیت ابزار CMOS در تغییر مقیاس برای افزایش tf و maxf که پردازش سیگنال های انالوگ کم تو ان و با پهنای باند زیاد را ساده می کند سبب شده است تا مطالعات زیادی روی طراحی فناوری CMOS با سرعت بالا برای کاربردهای بی سیم انجام شود . اخیرا بسیاری از طراحی های تقویت کننده های کم نویز فوق پهن باند با فناوری CMOS انجام می شود . طراحی تقویت کننده های کم نویز فوق پهن باند را می توان به گروه های، تقویت کننده های کم نویز چند باند، تقویت کننده های کم نویز توزیع شده، تقویت کننده های کم نویز با پیکربندی خنثی سازی نویز، تقویت کننده کم نویز با ساختار سورس مشترک، تقویت کننده های کم نویز با ساختار گیت مشترک و تقویت کننده کم نویز با ساختار ابشاری و غیره تقسیم کرد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
محسن تیماس
کارشناسی ارشد الکترونیک –
سید محمد علی ریاضی
گروه مهندسی برق واحد بندر عباس - دانشگاه آزاد اسلامی واحد بندرعباس
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :