اثرفونونها بر روی انرژی بستگی یک ناخالصی هیدروژن گونهدر یک نانو وایردر حضور میدان الکتریکی خارجی

سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 451

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

NSTE01_017

تاریخ نمایه سازی: 11 مرداد 1396

چکیده مقاله:

با استفاده از تقریب جرم موثر روش وردشی لاندایو پکار برای محاسبه انرژی بستگی حات پایه یک ناخالصی هیدروژن گونه در یک – سیم کوانتومی استوانه ای نیمه رسانا در حضور یک میدان الکتریکی عمود بر محور سیم بکار گرفته شده واثربرهم کنش الکترون با فونونهای اپتیکی قطبی مورد بررسی قرار گرفته است.دراین مقاله نتایج برای انرژی بستگی و نیز اثرات پلارونی بر حسب میدان الکتریکی و نیز شعاع نانو وایربرای مکانهای متفاوت ناخالصی بدست آمده است.این نتایج نشان می دهدکه اثر فونونها بر روی انرژی بستگی پلارون قابل توجه بوده و به کمک میدان الکتریکی و خواص ابعادی سیم کوانتومی می توان بسیاری از ویژگی های نانو وایر را تحت کنترل در آورد.

نویسندگان

عباس شاه بندری قوچانی

شهرکرد، دانشگاه فرهنگیان، پردیس بحر العلوم

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • P. Roussignol, D. Ricard, _ Flytzanis, and N. Neuroth, Phys. ...
  • L. R. Wilson, D. J. Mowbray, M. S. Skolnick, M. ...
  • A. S. Bhatti, M. Grassi Alessi, M. Capizzi, P. Frigeri ...
  • R. Heitz, I. Mukh ametzano V, O. Stier, A. Madhukar, ...
  • P. M. Platzman, Phys. Rev. 125, 1961 (1962). ...
  • B. Szafran, B. Stebe, J. Adamowski, and S.Bednarek, Phys. Rev. ...
  • نمایش کامل مراجع