بررسی سرعت و توان در شیفت رجیستر چهار بیتی با استفاده ازFinFET های 32nm و 7nm
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 444
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICTI01_102
تاریخ نمایه سازی: 11 مرداد 1396
چکیده مقاله:
فلیپفلاپهای توان پایین وسرعت بالا در طراحی های مدارات دیجیتال بسیار پر اهمیت هستند. در این مقاله کوچک سازی ترانزیستورها در D فلیپفلاپ ها مبتنی بر ترانزیستورهای FinFET در یک مدار شیفت رجیستر چهاربیتی ارایه شده است. تکنولوژی 7نانومتر نسبت به 32 نانومتر مزیتهای زیادی درعملکرد و بهره وری انرژی دارند. نتایج شبیه سازی برای یک سلول D فلیپفلاپ در ساختارهای مبتنی برتکنولوژی 7نانومتر نسبت به تکنولوژی 32 نانومتر حدود 96% افزایشسرعت و 29% کاهش توان مصرفی را نشان میدهد. علاوه بر این در همه شیفت رجیسترهای پیشنهادی شامل ساختارهای سری- سریSISO سری-موازی SIPO موازی- موازیPIPO موازی- سری PISO افزایشسرعت و کاهشتوان درتکنولوژی 7نانومتر نسبت به 32 نانومتر مشاهده میگردد
نویسندگان
محمدرضا شریففرد
دانشجویی کارشناسی ارشد، دانشگاه آزاد اسلامی اسلامشهر
حسین رضا یوسف وند
استادیار، دانشگاه آزاد اسلامی اسلامشهر
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :