بررسی مقدار خازن کوانتومی مبتنی بر گرافن دولایه در حالت های تبهگن وناتبهگن
محل انتشار: همایش ملی مهندسی برق مجلسی
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,032
فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCEEM01_103
تاریخ نمایه سازی: 11 مرداد 1396
چکیده مقاله بررسی مقدار خازن کوانتومی مبتنی بر گرافن دولایه در حالت های تبهگن وناتبهگن
با استفاده از کاربرد گرافن در صنعت الکترونیک می توان به ترانزیستورهای سریعتر و کوچکتر با مصرف انرژی کمتر و پراکندگی حرارتی بیشتر نسبت به ابزارهای پایه سیلیکونی دست یافت. در این مقاله ابتدا یک مدل تحلیلی برای انرژی اولین باند در گرافن نانو ریبون دولایه (BGN) ارایه می شود. برای بیان چگالی حالات (DOS) در BGN، دیفرانسیل گیری نسبت به انرژی انجام می شود. سپس DOS برای ما مدل می شود تا براساس آن چگالی حامل های الکتریکی (n) بدست آید. بر اساس DOS ارایه شده، مقدار خازن کوانتومی ((C(q) برای کانال الکتریکی در یک FET در حالت تبهگن و غیرتبهگن می تواند حاصل شود. خازن کوانتومی به عنوان یک پارامتر پایه به فرم انتگرال های مشهور فرمی نوشته می شود که بر طبق این مدل تحلیلی، مقدار خازن کوانتومی در یک FET با انرژی فرمی نرمالیزه شده که تابعی از انرژی گرمایی است افزایش می یابد.
کلیدواژه های بررسی مقدار خازن کوانتومی مبتنی بر گرافن دولایه در حالت های تبهگن وناتبهگن:
نویسندگان مقاله بررسی مقدار خازن کوانتومی مبتنی بر گرافن دولایه در حالت های تبهگن وناتبهگن
سیدنورالله هدایت
دانشجوی دکترا- گروه فیزیک دانشگاه ارومیه
محمدجواد کیانی
گروه برق دانشگاه آزاد اسلامی، واحد یاسوج
محمدتقی احمدی
عضو هیات علمی گروه برق و فیزیک دانشگاه ارومیه
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :