طراحی و شبیه سازی سنسور فشار تشدیدی میکروالکترومکانیکی سه غشایی

سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 318

فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF و WORD قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

NCTAE01_124

تاریخ نمایه سازی: 11 مرداد 1396

چکیده مقاله:

در این مقاله یک سنسور فشار تشدیدی سه غشایی که در مد موجی ارتعاش می کند گزارش می شود. این سنسور از جنس سیلیکون بوده و براساس تکنولوژی MEMS طراحی شده است. مد موجی نسبت به اعمال فشار حساس بوده و براساس فشار اعمالی به آن فرکانس ارتعاش اش جابجا می شود. ابعاد کلی ساختار سنسور سه غشایی 400μm × 20μm × 20μm، ابعاد سه غشاء 200μm × 2μm × 20μm و ابعاد تیر نگهدارنده 20μm×1μm×1μm در نظر گرفته شده است. میزان جابجایی فرکانسی برای سه غشایی بدون تیر نگهدارنده برای مد دهم از 0/5 مگا هرتز کمتر می باشد. در فرکانس تشدید MHz 101 سنسور سه غشایی بدون تیر نگهدارنده، دوغشاء کناری جابجایی برابر 2/8MHz و غشاء وسط 3/4MHz جابجایی فرکانسی تحت اعمال فشار دارد.

نویسندگان

حسن کمالی

دانشجو گروه الکترونیک، دانشکده فنی مهندسی، واحد بندرعباس، دانشگاه آزاد اسلامی، بندرعباس، ایران

فرشاد بابازاده

استادیار گروه الکترونیک، دانشکده مهندسی برق، واحد یادگار امام خمینی (ره) شهر ری، دانشگاه آزاد اسلامی، تهران، ایران

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • Lin YW, Lee S, Li SS, Xie Y, Ren Z, ...
  • Nguyen CTC, MEMS technology for timing and frequency control. IEEE ...
  • Hao Z, Pourkamali S, Ayazi, F VHF single-crystal silicon elliptic ...
  • Zuo C, Van der Spiegel J, Piazza G, 1.05-GHz CMOS ...
  • Y.-H. Cho, A. P. Pisano, and R. T. Howe, "Viscous ...
  • M. Christen, "Air and gas damping of quartz tuning forks, ...
  • نمایش کامل مراجع