طراحی و شبیهسازی تقویت کننده توان کلاس B برپایه قطعه دیود اثرمیدانی نانومتری
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 498
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ELECONFK03_141
تاریخ نمایه سازی: 11 مرداد 1396
چکیده مقاله:
در این مقاله، یک تقویتکننده توان جدید بر پایه دیود اثرمیدانی اصلاحشده در ابعاد نانومتری که کاربردی جدید از این قطعه میباشد -معرفی و شبیه سازی شده است. جهت به دست آوردن عملکرد مداری مطلوبتر، ساختار موردنظر به صورت پوشش سیلیکونی بر روی عایق و به صورت سه بعدی 3D طراحی شده است. تقویتکننده توان پیشنهاد شده یک پوشپول میباشد که توسط دو قطعه دیود اثرمیدانی اصلاحشده با طول کانال 57 نانومتر و ضخامت اکسید گیت 2 نانومتر طراحی، مدلسازی و شبیهسازی شده است. جهت اثبات ادعای عملکرد مناسب پوشپول برپایه دیوداثرمیدانی، مدار پوشپول مشابهی توسط ترانزیستور دوقطبی در ابعاد نانومتری نیز شبیهسازی گردیده است و عملکرد هر دو ساختار باهم مقایسه گردیده است. با اعمال ورودیهای برابر به هردو مدار، جریان خروجی مدار مشابه مدار پوشپول برپایه ترانزیستور دوقطبی 2.4 میکروآمپر و برای مدار پیشنهادی مدار پوشپول برپایه دیود اثرمیدانی حدود 2.9 میکروآمپر، توان خروجی مدار مشابه 1.1 میکرووات و برای مدار پیشنهادی 1.8 میکرووات و راندمان مدار پیشنهادی حدود9 درصدبالاتر از مدار مشابه بدست آمد. همچنین یکی از مهمترین عیوب مدارهای پوش پول که اعوجاج تقاطعی میباشد، در مدار پیشنهادی بسیار کمتراست.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
محمد علیمرادی
دانشجوی کارشناسی ارشد برق الکترونیک، دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی
مینا امیرمزلقانی
استادیار دانشکده برق، دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :