مروری بر تکنولوژی ساخت و عملکرد ترانزیستورهای ماسفت چرخشیPS-MOSFET

در سالهای اخیر ترانزیستورهای چرخشی توجه زیادی را بعنوان یک بلوک ساختمانی پرکارکربرد مدارات مجتمع آینده به خود جلب کردهاند. در این مقاله سعی بر این است که مراحل ساخت یک ماسفت چرخشی-کارکردی با نام ماسفت شبهچرخشی MOSFET-PS بررسی و توصیف شود. ماسفت چرخشی یک مداری است که از یک ماسفت معمولی و اتصال تونل مغناطیسی MTJ برای باز تولید توابع ترانزیستورهای چرخشی استفاده میکند. تکنیکهای یکپارچهسازی قطعه برای یک ماسفت دروازه زیرین از یک حامل سیلیکون- بر- عایق SOI استفاده کرده و برای یک MTJ با یک الکترود آلیاژ و بازدارنده تونل MgO توسعه داده شده است. MOSFET-PS ساخته شده، رسانایی متقابل کم و جریان زیاد کنترل شده را توسط پیکربندیهای مغناطیسی MTJ در دمای اتاق از خود نشان میدهد. اما در سالهای اخیر با روش مجتمعسازی توسعه یافته با استفاده از یک تراشه MPW CMOS توانستهاند MTJهای ساخته شده بر روی تراشه را با نسبت مقاومت مغناطیسی TMR بزرگ > 140 و سازگار با کاربرد ماسفت چرخشی تولید کنند. توسعه این تکنولوژی میتواند درها را برای کاوش مدارهای ترکیبی کاربردی جدید مبتنی بر CMOS باز کند. چند مقالهی مهم از بدو پیدایش این نوع ترانزیستورها تا حالا مطالعه و در نهایت مقایسه آنها از لحاظ نسبت مقاومت مغناطیسی و کنترل و افزایش جریان خروجی و حداکثر نسبت جریان مغناطیسی بصورت نموداری بررسی میشوند.