طراحی یک تقویتکننده کم نویز در باند Ku در تکنولوژی 0.18μm CMOS با خطینگی بالا

در این مقاله یک تقویتکننده کمنویز در گسترهی فرکانسی 18-12 گیگاهرتز با استفاده از تکنولوژی سیماس µm 18/0 طراحی شده است. تقویتکنندهی ارایه شده از ساختار استفاده مجدد از جریان پیروی میکند، تا مصرف توان حداقل شود و یک چگالی جریان بهینه برای طراحی تقویتکننده کمنویز انتخاب شده. سپس با کاهش عوامل غیر خطی یعنی gmو gm′ ، پارامتر IIP3 تقویتکننده افزایش داده می شود. تقویتکننده ′′نهایی دارای نویز فیگر 1dB/3 ، بهرهی 12dB و ضرایب بازگشت ورودی و خروجی کمتر از 10dB -است. مقدارIIP3 تقویت کننده طراحی شده dBm 3 +است.

کلیدواژه ها:

تقویت کننده کم نویز ، ساختار استفاده مجدد از جریان ، تکنیک خطی سازی