شبیه سازی ترانزیستور اثر میدانی گرافن نانو ریبونی با به کار بردن لایه نازک با دوپینگ کم بین کانال واتصالات سورس و درین با روش گرین

در این مقاله به بررسی ترابرد کوانتومی در ترانزیستور گرافن نانو ریبونی اثر میدانی(GNRFET (با استفاده از روش گرینمی پردازیم. در ساختار GNRFET ارایه شده از دو فلز گیت استفاده شده و سورس و درین به صورت یکسان دوپینگ شده و یک لایه نازک با دوپینگ کم بین کانال و هر کدام از اتصالات سورس و درین استفاده شده است. در ساختار ارایه شده جریان روشنایی و تاخیر زمانی را بررسی می کنیم . سابقه و هدفدر حالت کلی ترانزیستورهای مبتنی بر نانو نوار گرافن را می توان به دو دسته ترانزیستورهای مبتنی بر نانو نوار گرافن با سد شاتکی و ترانزیستورهای اثر میدانی نانو نوار گرافنی ماسفتی که از دو ناحیه با چگالی بسیار زیاد که می تواند از نوع n یا p باشد، تقسیم کرد[1 .[یکی از مشکلات اصلی GNRFET ،جریان نشتی ناشی از تونل زنی باند به بانداست که باعث کاهش جریان روشنایی می شود[2 .[برای حل این مشکل، یک ساختار ارایه شده که از یک لایه نازک با دوپینگ کم بین کانال و اتصالات سورس و درین استفاده شده است که موجب می شود تا جریان روشنایی و تاخیر زمانی بهبود یابد. برای شبیه سازی از نرم افزار MATLAB استفاده شده است.

کلیدواژه ها:

گرافن نانو ریبون ، GNRFET ، روش گرین ، جریان روشنایی ، تاخیر زمانی