طراحی و شبیه سازی تقویت کننده کم نویز با بهره بالا و رفتار خطی خوب در فرکانس 2.45GH

سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 493

فایل این مقاله در 13 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ITCC04_046

تاریخ نمایه سازی: 18 تیر 1396

چکیده مقاله:

طراحی و شبیه سازی تقویت کننده کم نویز ارایه شده در این مقاله در محیط ADS انجام شده است. به دلیل این که سیستم های بی سیم، تلفنهمراه، شبکه های اینترنتی و بسیاری از وسایل مخابراتی در محدوده فرکانسی 2.5GHz2.4 کار می کنند، این فرکانس یک فرکانس بسیارپرکاربرد در بین سایر فرکانس های رادیویی است به همین علت این تقویت کننده در فرکانس 2.45GHz طراحی شده است. در طراحیاین تقویت کننده از یک ترانزیستور BFP720 استفاده شده است. استفاده از تکنیک افزایش جریان ترانزیستور جهت کاهش اینترمدولاسیون سبب شده تا مدار رفتار خطی خوبی داشته باشد اما همواره یک مصالحه بین توان مصرفی و خطی بودن وجود دارد. طراحیشبکه تطبیق ورودی و خروجی مناسب و استفاده از امیتر در سلف مدار جهت پایداری و انتخاب مناسب ترانزیستور سبب ایجاد بهره ولتاژبالا برابر با 16.325dB، عدد نویز کمتر از 1dB و برابر با 0.789dB و رفتار خطی خوب OIP3=17.44 dBm در فرکانس 2.45GHz شده است.

کلیدواژه ها:

نقطه برخورد سوم (IP3) ، تقویت کننده کم نویز ، عدد نویز ، بهره ولتاژ

نویسندگان

فاطمه معتمدی سده

دانشجوی کارشناسی ارشد ، دانشگاه آزاد اسلامی واحد نور

محمد شعبانی

دکتری، دانشگاه آزاد اسلامی واحد نور

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • Razavi, Behzad, 2007, RF Micro electronics, Darush Shiri ...
  • Hankyu Lee, A Wideband Differential Low-Noi se-Amplifier With IM3 Harmonics ...
  • Md. Saiful Arefin Mojumder*, Md. Sariful Islam, and M. Ziaur ...
  • Mehmood Abbasi Muneeb and Abdul Jabbar Mohammad, Design and Performance ...
  • Bandla, Atchaiah, "Highly Linear 2.45 GHz Low-Noise Amplifier Design", Sweden, ...
  • X. Zhao and H. Fan and F. Ye and Sh ...
  • Ludwig Reinhonld and Bogdanov Gene, 2009, RF Circuit D esign, ...
  • Hall, David. _ 'Understanding Inte rmodulation Distortion Measurement, _ Electronic ...
  • نمایش کامل مراجع