مقایسه مدل های کلاسیک و کوانتومی در شبیه سازی ترانزیستور اثر میدان نانوسیم استوانه ای
محل انتشار: چهارمین کنفرانس بین المللی مهندسی برق و کامپیوتر
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 341
فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
COMCONF04_268
تاریخ نمایه سازی: 10 تیر 1396
چکیده مقاله:
در این مقاله ترانزیستور اثر میدان نانوسیم استوانه ای InAs با استفاده از مدل انتقال رانش نفوذ و همچنین مدل تابع گرین در محیط نرم افزار سیلواکو شبیه سازی شده است. ما در این مقاله به بررسی و مقایسه دو مدل انتقالرانش نفوذ و تابع گرین در مقیاس های کوچک پرداخته ایم. نتایج نشان می دهند که با استفاه از مدل تابع گرین جریان و رسانندگی ترانزیستور نسبت به شبیه سازی ترانزیستور با انتقال رانش نفوذ افزایش می یابد
کلیدواژه ها:
نویسندگان
غزال ذوالفقاری
گروه مهندسی برق الکترونیک، پردیس علوم و تحقیقات دماوند، دانشگاه آزاد اسلامی، دماوند، ایران. گروه مهندسی برق الکترونیک، واحد دماوند، دانشگاه آزاد اسلامی، دماوند، ایران.
حجت اله خواجه صالحانی
گروه مهندسی - برق الکترونیک، واحد دماوند، دانشگاه آزاد اسلامی، دماوند، ایران.
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :