بررسی اثر اندازه بسامد پلاسمای مؤثر، بر میزان گاف نوار در نانو بلورهای فوتونی فلزی

با استفاده از روش موج تخت تغییر یافته، ساختار نوار فوتونی در یک نانو بلور فوتونی پاشنده با شبکه مربعی محاسبه شده است. میله های پاشنده واقع در بلور را از جنس فلز و با سطح مقطع هگزاگونال انتخاب کرده ایم که در زمینه ای از هوا قرار گرفته اند. این نانو بلورها از خود گاف نوار فوتونی یا همان ناحیه ممنوعه بسامدی نشان می دهند. معمولا این گافها از لحاظ طیف نوری در ناحیه مادون قرمز قرار می گیرند. هدف ما در این مقاله بررسی موقعیت و پهنای این گافهای فوتونی و بدست آوردن گاف نوار بیشینه است. برای این منظور مقادیر مختلفی را برای بسامد پلاسمای مؤثر نانو بلور در نظر گرفته ایم. نتایج حاکی از اینست که تعداد و همچنین پهنای گافهای نوار با افزایش بسامد پلاسمای مؤثر، افزایش می یابد.