بررسی تاثیر پارامترهای ترانزیستورMESFET بر روی عناصر مدار معادل بر پایه تحلیل فیزیکی
محل انتشار: دوازدهیمن کنفرانس مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1383
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,467
فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE12_153
تاریخ نمایه سازی: 13 مهر 1387
چکیده مقاله:
در این مقاله روش جدیدی جهت استخراج المانهای مدار معادل سیگنال کوچک ترانزیستورهای مایکروویو و موج میلیمتری بر پایه مدل سازی فیزیکی و حل عددی معادله Drift-Diffusion به روش FDTDارائه شده است . مقایسه نتایج بتا سایر روشها از قبیل روش مونت کارلو ، صحت تکنیک به کار برده شده را نشان می دهد . نحوه تغییرات مقادیر این المانها بر حسب تغییر نقطه بایاس و اندازه فیزیکی ساختار طول گیت – بخش دیگر این مقاله را تشکیل می دهد .
کلیدواژه ها:
ترانزیستور FDTD ، MESFET ، معادله Drift-Diffusion ، مدل سازی فیزیکی ، پارامترهای سیگنال کوچک ، مایکروویو و موج میلیمتری
نویسندگان
مسعود موحدی
دانشگاه صنعتی امیرکبیر (پلی تکنیک تهران)
عبدالعلی عبدی پور
دانشگاه صنعتی امیرکبیر (پلی تکنیک تهران)
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :