بررسی و بهبود مشخصه ولتاژ- جریان ترانزیستور GAA نانو سیم دوگیتی
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 679
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
UTCONF01_043
تاریخ نمایه سازی: 19 خرداد 1396
چکیده مقاله:
برای بهبود بیشتر اثرات کوتاه کانال از ساختار گیت دو مادهای استفاده می شود. با افزایش میزان ناخالصی، جریاندرین شدیدا کاهش و ولتاژ آستانه افزایش مییابد. با افزایش غلظت ناخالصی،شیب زیرآستانه کاهش می یابد. با افزایشغلظت ناخالصی، هم جریان روشن و هم جریان خاموش کاهش می یابند و ولتاژ آستانه شدیدا افزایش پیدا می کند.در این مقاله نسبت طول آلومینیوم به پلی سیلیکان بهینه شده است. مشاهده شده که استفاده از دو ماده ی مختلفدر گیت بهبودی قابل توجهی در سویینگ زیر آستانه ایجاد می کند. با استفاده از نسبت برابر در ماده ی آلومینیوم وپلی سیلیکان، سویینگ زیرآستانه به 0/85 می رسد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
عباس قدیمی
دانشکده فنی و مهندسی، واحد لاهیجان، دانشگاه آزاد اسلامی، لاهیجان، ایران
مهدی غلامی ونن
گروه مهندسی برق، موسسه آموزش عالی مهرآستان، آستانه اشرفیه، ایران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :