بررسی تغییرات ترارسانایی و منحنی نویز بهینه در ترانزیستورهای مسفت گالیوم نیترید

تکنولوژی نیمه هادی مدرن منجر به تغییرات مناسب قطعات می شود و نقش مهمی را در زندگی روزمره ایفا می کند . اساس ساخت پردازشگرها و تمام دستگاه هایی که به نحوی اطلاعات و عملیاتی را پردازش می کنند، از کامپیوتر شخصی گرفته تا دستگاه های عکس برداری پزشکی و ... نیمه هادی هاست. قطعات مبتنی بر نیمه هادی های گروه 3 به ویژه نیمه هادی گالیوم نیترید به دلیل خواص ذاتی ماده , نوید قطعاتی با قدرت بالا , فرکانس بالا و توان مصرفی پایی را می دهد. امروزه استفاده از موادی همچون گالیوم نیترید که دارای باند انرژی گاف پهن هستند و به علت هدایت حرارتی خوب و ثابت در الکتریک کوچک از آن ها در کاربردهایی با توان بالا، دمای بالا و ادوات الکترونیکی در محیط های تابشی سخت مناسب کرده است. ترانزیستورهای مسفت به علت سادگی در ساختارشان جهت تحلیل، عدم داشتن مشکلات انتشار ناخالصی و لایه های با چگالی متراکم یکی از بهترین ادوات مورد توجه در ساختار مدارهای مجتمع مقیاس بزرگ هستند. در این پژوهش به بررسی تغییرات ترارسانایی و منحنی نویز بهینه به ازای تغییرات ولتاژ های درین-سورس مختلف می پردازیم و اثرات مقاومت پارازیتی و تعدیلات طول گیت را بر پارامترهای مورد نظر بررسی می شود.

کلیدواژه ها:

مسفت گالیوم نیترید ، ترارسانایی ، منحنی نویز