رشد تک بلور InSb در جهت (111)به روش چکرالسکی

در این مقاله، فرایند رشد تک بلور InSb به روش چکرالسکی و تحت گاز هیدروژن بیان شد. بدین صورت که ابتدا پس از توزین مواد اولیه ایندیم و آنتیموان، فرایند ترکیب فاز انجام گرفت. سپس یک بلور دانه از جنس InSb و در راستای (111 (تهیه شد. با استفاده از این بلور، فرایند رشد بلور اصلی از مذاب و به روش چکرالسکی انجام گرفت. با استفاده از آنالیز پراش اشعه ایکس(XRD ،(بلور بدست آمده مورد بررسی قرار داده شد. نتایج حاصل از این آنالیز، نشان داد که بلور رشد داده شده، یک تک بلور در راستای (111 (میباشد.

کلیدواژه ها:

ترکیب فاز ، دانه اولیه ، XRD ، XRF ، لاوه ، ویفر