تقویت کننده ترارسانای عملیاتی دو طبقه طراحی شده با ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربنی
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 505
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ECCIRD01_060
تاریخ نمایه سازی: 6 اردیبهشت 1396
چکیده مقاله:
در این مقاله، یک تقویت کننده ترارسانای عملیاتی (OTA) دوطبقه با مدل ترانزیستوری CNTFET پیشنهاد شده است که می تواند توان مصرفی، نرخ چرخش و بهره را نسبت به مدار مشابه در فناوری MOS بهبود بخشد. این تقویت کننده در فناوری32 نانومتر CNTFET و ولتاژ تغذیه1 ولت طراحی شد. نتایج شبیه سازی براساس نرم افزار HSPICE بهره DC برابر72 دسی بل، توان مصرفی برابر10 میکرو وات و نرخ چرخش را برابر13.2 ولت بر میکروثانیه نشان می دهد.
کلیدواژه ها:
ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربنی (CNFET) ، تقویت کننده ترارسانا (OTA) ، ضریب رد وجه مشترک (CMRR) ، نرخ چرخش (Slew Rate)
نویسندگان
فروغ السادات سلیمی دهکردی
دانشجوی کارشناسی ارشد، دانشکده مهندسی برق، واحد نجف آباد، دانشگاه آزاد اسلامی، نجف آباد، ایران
سیدمحمدعلی زنجانی
مربی، دانشکده مهندسی برق، واحد نجف آباد، دانشگاه آزاد اسلامی، نجف آباد، ایرا
مسعود دوستی
دانشیار، دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، واحد علوم و تحقیقات، دانشگاه آزاد اسلامی، تهران، ایران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :