بررسی ترانزیستور اثر میدانی پیشنهادی با استفاده از تکه ای هوا برای بهبود ولتاژ شکست

کارایی ادوات نیمه هادی در مصارف مختلف ،به چگونگی ساختار آنها و پارامترهایمختلف الکتریکی وابسته است .در میان افزاره های مختلف نیمه هادی ، ترانزیستورهای اثر میدان توجه صنعت الکترونیک را به خود جلب کرده است .در افزاره های قدرت ، پارامترهایی از قبیل ولتاژ شکست ، مقاومت حالت روشن ، سرعت کلیدزنی و فرکانس کاری از ویژگی های مهمی می باشد.دو مزیت مهم قطعات قدرت ، مقاومت کم و ولتاژ شکست بالا می باشد که ما در این مقاله برای افزایش ولتاژ شکست ، در لبه گیت نزدیک به درین، تکه ای هوا قرار دادیم که باعث کاهش حامل های الکترون و حفره شده، میدان الکتریکی را تغییر می دهد و در نتیجه اعث افزایش ولتاژ شکست می شود.

کلیدواژه ها:

ولتاژ شکست ، ترانزیستورهای اثر میدان ، میدان الکتریکی ، کاهش میدان سطحی ، پدیده یونیزاسیون