تحلیل و طراحی نوسان ساز آشوب هارتلی مبتنی بر خازن حافظه دار در فرکانس بالا
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,006
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ECCIRD01_005
تاریخ نمایه سازی: 6 اردیبهشت 1396
چکیده مقاله:
مقاومت حافظه دار یا ممریستور که به عنوان چهارمین عنصر پایه بعد از مقاومت، خازن و سلف معرفی شده است، یکقطعه دو پایه است که در ابعاد مقیاس نانو میشود و مقاومت آن به دامنه، پلاریته و مدت زمان ولتاژ اعمالی به آنبستگی دارد. عناصر دیگری از خانواده عناصر حافظه دار نظیر خازن های حافظه دار و سلف های حافظه دار شناسایی وپیاده سازی شده اند. این المان ها که به قطعات ممریستیو معروف می باشند در مقیاس نانو قابل پیاده سازی بوده و بهراحتی می توان رفتار آنها را با مدارات الکترونیکی شبیه سازی کرد. در این مقاله ابتدا تکنولوژی ساخت و مدلفیزیکی خازن های حافظه دار بررسی شده است سپس از این المان در طراحی اسیلاتور هارتلی فرکانس بالا مبتنی برتکنولوژی ساخت 0.18 میکرون با رفتار آشوبناک استفاده شده است.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
فرید ستوده
استادیار دانشکده برق و کامپیوتر، دانشگاه صنعتی اراک، اراک
مسعود دوستی
دانشیار دانشکده برق و کامپیوتر، دانشگاه آزاد اسلامی علوم و تحقیقات تهران ، تهران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :