بررسی خواص غیر خطی الکتریکی لایه نازک سیلیکان

سال انتشار: 1386
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,107

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

NCV03_025

تاریخ نمایه سازی: 1 شهریور 1387

چکیده مقاله:

اندازه گیری مقاومت ویژه ویفرهای سیلیکان ( 111 ) نوع p,n به روش ون در پاو انجام شد. سپس به وسیله تبخیر اشعه الکترونی, یک لایه نازک از سیلیکان بر روی ویفر سیلیکان نشاندیم. با مقایسه نمودار ویفر سیلیکان با حالت لایه نشانی شده سیلیکان, مشاهده شد برای جریان های کمتر از 2 mA تفاوت آشکاری میان دو حالت وجود دارد که ناشی از لایه نازک سیلیکان می باشد.

نویسندگان

نرگس صادق بیگی

گروه فیزیک دانشگاه الزهرا(س) ، ونک، تهران

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • K. Robbie, G. Beydaghyan, T. Brown, C. Dean, J. Adams, ...
  • _ Kaminska, A. Amassian, L. Martinu, and K. Robbie, " ...
  • J. C. Sit, ) D. Vick, K. Robbie, and M. ...
  • http :/en.wikipedia. org ...
  • D. K. Schroder, Semiconducto r Material and Divice Cha racterization ...
  • L. J. Van der Pauw;" A method of measuring specific ...
  • G. D. Mahan, Applied Mathematics, Library of Congress Cataloging in ...
  • نمایش کامل مراجع