شبیه سازی ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 519
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
BPJCEE01_120
تاریخ نمایه سازی: 6 اسفند 1395
چکیده مقاله:
ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی یکی از گزاره های آینده صنعت نانوالکترونیک می باشند. به علت محدودیت های ماسفت سیلیکونی، این ترانزیستورها می توانند جایگزین احتمالی ماسفت در دراز مدت باشند. در این مقاله ابتدا به معرفی نانولوله های کربنی می پردازیم. سپس به بررسی اثر پارامترهایی مانند طول کانال، قطر و کایرالیتی به روی جریان در این ترانزیستور پرداخته و منحنی I-V را به ازای طول کانال و قطرهای مختلف و همچنین به ازای ولتاژ گیت اعمالی متفاوت رسم می کنیم. در انتها مقایسه ای بین عملکرد ماسفت سیلیکونی و ترانزیستور نانولوله کربنی صورت پذیرفته است. با بهینه سازی ساختار ادوات و افزایش کیفیت نانولوله های کربنی عملکرد بهتر ترانزیستور نانولوله کربنی را انتظار داریم.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
رضا پورتاج آبادی
گروه مهندسی برق، واحد یزد، دانشگاه آزاد اسلامی، یزد، ایران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :