تمام جمع کننده با استفاده از تکنیک MTCMOS
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 567
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
BPJCEE01_085
تاریخ نمایه سازی: 6 اسفند 1395
چکیده مقاله:
؛ CMOS چند آستانه ای، تکنیک مداری رایجی است که امکان بازده بالا و عملکرد توان پایین را فراهم می کند. این تکنولوژی هم ویژگی ماسفت ولتاژ آستانه پایین و هم ویژگی ماسفت ولتاژ آستانه بالا را در یک مدار از خود نشان می دهد. در حالیکه ترانزیستورهای ولتاژ آستانه پایین برای کاهش زمان تاخیر انتشار مورد استفاده قرار می گیرند، ترانزیستورهای ولتاژ آستانه بالا برای کاهش مصرف توان مورد استفاده قرار می گیرند. این مقاله یک تمام افزایشگر توان پایین با تکنولوژی MTCMOS را توصیف می کند. در مقایسه با مدار CMOS متداول، مدار پیشنهادی توان مصرفی را تا 59 درصد کاهش می دهد. شبیه سازی بر روی (ابزار) tanner EDA در تکنولوزی BSIM3v3 180 nm انجام شده است. (EDA = تحلیل اکتشافی داده ها )
کلیدواژه ها:
نویسندگان
مظفرالدین فردوسیان طهرانی
دانشگاه آزاد اسلامی،واحد سروستان، گروه برق، سروستان، ایران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :