بررسی خواص اپتوالکترونی نانوسیم الماس رشد یافته در جهت صفحهی ( 111 ) با استفاده از نظریهی تابعی چگالی
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 597
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
SCMEMI13_197
تاریخ نمایه سازی: 6 بهمن 1395
چکیده مقاله:
در این مقاله تاثیرات اندازه و جهتگیری رشد بر خواص اپتوالکترونی نانوسیم الماس اشباع شده، به روش نظریهی تابعی چگالی و حل معادلهی کوهن-شم با در نظر گرفتن تقریب چگالی موضعی LDA بررسی شده است. نانوسیمها از نوع استوانهای بوده و سطح جانبی آنها توسط اتمهایهیدروژن، اشباع شده است. گافهای اپتیکی محاسبه شده بعلت بوجود آمدن ترازهای سطحی از گاف الماس حجیم، کوچکتر است. همچنینمشخص شد گافهای اپتیکی و چگالیحالات الکترونی نانوسیمهای رشد یافته در جهت صفحهی ) 111 ( به دلیل کاهش اثر حبس کوانتومی با افزایش اندازهی مقطع نانوسیم، کاهش مییابند
کلیدواژه ها:
نویسندگان
سیدمصطفی منوری
دانشجوی کارشناسی ارشد فیزیک ماده چگال،
فرح مرصوصی
استادیار و عضو هیئت علمی دانشگاه صنعتی امیرکبیر،
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :