ورود
مقالات فارسیISIکنفرانسهاژورنالها

بیان رابطه و محاسبه مقاومت بدنه ترانزیستورهای PD SOI MOSFET در ابعاد نانومتر

محل انتشار: کنفرانس پژوهش های نوین در علوم و مهندسی
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 632

فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:
https://civilica.com/doc/555938

شناسه ملی سند علمی:

NRSECONF01_108

تاریخ نمایه سازی: 6 بهمن 1395

چکیده مقاله:

در این مقاله سعی بر آن شده است که یک رابطه برای محاسبه مقدار موثر مقاومت بدنه ترانزسیتورهایPD SOI MOSFET در مقیاس 54 نانومتر مطرح شود. ابتدا با استفاده از محیط شبیه سازی ISE-TCAD یک ترانزیستور با کانال نوع P شبیهسازی نموده و با اعمال بایاس به پایه های آن و رسم منحنی مشخصه جریان- ولتاژ این ترانزیستور پرداخته ایم سپس پارامترهای مهم مربوط به هر کدام نواحی سورس، درین، گیت و سطح زیر بدنه را با استفاده از این نرم افزار استخراج نموده و بهبیان رابطه ای ریاضی برای محاسبه مقدار موثر مقاومت بدنه بر حسب متغییرهای پتانسیل بدنه و طول کانال، بیان می گردد. در نهایت با استفاده از نرم افزارMATLABاین مقاومت را محاسبه نموده ایم

کلیدواژه ها:

نویسندگان

محمدرضا سلیمانی فارسانی

مربی حقالتدریس دانشگاه فنی و حرفه ای پسران شهرکرد

روح الله اردشیری لردجانی

دانشجوی کارشناسی ارشد،دانشکده برق،دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • J.P.Colinge, _ S i l ic on-on-insulator technology", Materials to ...
  • J.P.Raskin, "Wideband charac terization of SOI materials and devices", Solid-State ...
  • W.Jin, P.C.Chan, S.K.H.Fung, P.K.Ko, _ S hot-no ise-jinduced excess low-frequency ...
  • V.Kilchytska, et al, "Influence of device engineering on the analog ...
  • A. Daghighi, Mohamed Osman, M. A. Imam, ;:An area efficient ...
  • A.Daghighi, M.A.Osman, _ _ Three -dimensional simulation of body contact ...
  • G.G. Shahidi, IBM J. RES. & DEV., Vol. 46, No. ...
  • G.G.Shahidi, "SOI technology for the GHz era", In international symposium ...
  • A.Daghighi, M.Osman, M.A.Imam, "An area efficient body contact for low ...
  • A.Daghighi, M.Osman, M.A.Imam, " An area efficient body contact for ...
  • D.Lederer, D .Vanhoenacker, D.Flandre, J.Raskin, "Frequency degradation of SOI MOS ...
    • نمایش کامل مراجع