Crate a Op-Amp CMOS Low-Voltage High Gain for Switch with 90nm Technology

سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 532

فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

NPECE01_285

تاریخ نمایه سازی: 6 بهمن 1395

چکیده مقاله:

This article discusses the Crate a low-voltage, high gain, fully differential CMOS Op-amp in a low voltage (VDD = 1.0V) 90nm CMOS process. This Op-amp is ideally suited for switch circuits and simulations show a unity gain band width of 650MHz with 1pF load capacitor and a DC gain of more than 107dB. The phase margin is around 58 degree centigrade. The circuit topology is a two-stage folded cascode structure with regulated cascodes for gain boosting

کلیدواژه ها:

نویسندگان

Abolfazl sodagary

MSc in Power Electronics