An Energy Recovery Static RAM With MEQUL Transistor And Driving Line Technique in voltage mode
محل انتشار: چهاردهمین کنفرانس مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1385
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 2,399
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE14_324
تاریخ نمایه سازی: 25 تیر 1387
چکیده مقاله:
In this paper, we introduce a new low-power SRAM cell with seven transistors. The design is based on energy recovery and driving source line cell that reduces the power dissipation associated with write operations. The new memory is designed using 0.6μm CMOS technology and operates in voltage mode with 5 Volts power supply. Simulation results indicate that the energy saving is improved about 20% in read cycle and 40% in write cycle at 166MHz, compared to conventional design. The layout penalty of seven-transistor cell is negligible compared to 6-transistor SRAM.
نویسندگان
Hassan Abdollahi
Islamic Azad University, south Tehran Branch and Shahid Sattari Air University,
Abdolreza Nabavi
Tarbiat Modarres University.
Satar Mirzakuchaki
Iran University of Science and Technology
Afsaneh Haghnegahdar
Iran University of Science and Technology
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :