ساخت لایه های نازک اکسید ایندیوم و قلع ( ITO) و شبیه سازی تاثیر آن بر عملکرد سلول های خورشیدی پلی سیلیکون

ابتدا لایه های نازک اکسید ایندیوم و قلع (ITO (Indium tin oxide در شرایط مختلف با سیستم لایه گذاری پراکنشی RF بر روی زیر لایه های شیشه و پلی سیلیکون نوع -n لایه گذاری شده و در کوره خلا تحت عملیات حرارتی مختلفی قرار گرفتند. خواص الکترواپتیکی (طیف عبور ، بازتاب ، مقاومت سطحی) و ساختاری این لایه ها، اندازه گیری وشرایط بهینه برای آماده سازی این لایه ها بررسی شد. سپس با استفاده از پارامتر های اندازه گیری شده ،اثر این لایه ها بر روی عملکرد سلولهای خورشیدی پلی سیلیکون توسط نرم افزار PC1D شبیه سازی شد. سهم اتلاف قسمت دو بعدی جریان جانبی و تلفات اتصالات بالائی با استفاده از محاسبات تحلیلی در نرم افزار PC1D وارد گردید و فاصله بین انگشتی ها با بررسی 60 فاصله مختلف برای هر سلول بهینه شد و ملاحظه گردید که اعمال لایه های ITO لزوم استفاده از ساختار باس بار و انگشتی را از بین نمی برد. بازده سلول لایه گذاری نشده با اتصالات بالائی بهینه شده 16/4 درصد است. در حالی که اگر تنها از باس بارهائی در محیط سلول لایه گذاری شده با ITO استفاده شود، بازده سلول به 7/1 درصد کاهش خواهد یافت. ولی لایه های ITO به همراه ساختار باس بار و انگشتی بهینه شده روی آن ، بازده سلول را به 18/2 درصد خواهد رساند.

کلیدواژه ها:

سلول خورشیدی ، فتو ولتاییک ، اتصال بالایی ، PC1D ، ITO ، شبیه سازی ، لایه نازک