یک مدار هدایت انتقالی بسیار ولتاژ پایین با استفاده از ترانزیستو رهای با گیت شناور
محل انتشار: چهاردهمین کنفرانس مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1385
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,265
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE14_287
تاریخ نمایه سازی: 25 تیر 1387
چکیده مقاله:
در این مقاله طراحی و شبیه سازی یک مدار هدایت انتقالی با ولتاژ تغذی ه بسیار کم که در ساختار آن از ترانزیستور با گیت شناور استفاده شده، ارائه شده است. نتایج شبیه سازی ها با نرم افزار Hspice تحت تکنولوژی 0/35μm CMOS 0/ و ولتاژ تغذی ه 5 ولت نشان دهنده مناسب بودن آن در کاربر دهای ولتاژ پایین برای کم کردن مصرف توان تراشه و افزایش طول عمر باتری می باشد. لازم به ذکر است که میزان هدایت انتقالی 140μ A/V با پهنای باند 100MHz بوده و در فرکانس THD=0.7% ،10/7 MHz و مصرف توان 13μW اندازه گیری شده است.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
سید ادیب ابریشم یفر
دانشگاه علم و صنعت ایران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :