Applications of Two- and Three-Dimensional General Topography Simulator in Semiconductor Manufacturing Processes
محل انتشار: چهاردهمین کنفرانس مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1385
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 2,048
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE14_263
تاریخ نمایه سازی: 25 تیر 1387
چکیده مقاله:
We present applications of the two- and three-dimensional general purpose topography simulator ELSA (Enhanced Level Set Applications) for semiconductor manufacturing processes. The first process considered is the deposition of silicon dioxide from TEOS for power MOSFETs. For backend processes in addition to a TEOS process, the deposition of silicon nitride into interconnect lines, where two and threedimensional void characteristics play an important role for determining timing delays and cracking effects, is necessary and thus is simulated.
نویسندگان
A. Sheikholeslami
Institute for Microelectronics, TU Vienna, A-۱۰۴۰ Vienna, Austria
R. Heinzl
Christian Doppler Laboratory for TCAD at the Institute for Microelectronics
S. Holzer
Christian Doppler Laboratory for TCAD at the Institute for Microelectronics
C. Heitzinger
School of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, USA
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :