ارائه مدار معادل یک ترانزیستر اثر میدانی نانو لوله ای کربنی به منظور استفاده در شبیه سازی
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 655
فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
COMCONF02_039
تاریخ نمایه سازی: 5 بهمن 1395
چکیده مقاله:
با ظهور تکنولوژی نانو لوله کربنی، بررسی مدار و سیستم عملکرد ادواتی که از این المان استفاده می کردند بسیار مهم شد. در این مقاله، ما یک مدل شبه تحلیلی از یک ترانزیستور نانو لوله کربنی ساده را که بتوان از آن در نرم افزارهای شبیه سازی متداول همانند SPICE استفاده کرد ارائه می نماییم. اصطلاح عبارت فرم نزدیک به فرم اصلی برای مشخصه جریان - ولتاژ و بار- ولتاژ بر پایه مدل فیزیکی قطعه بدست آمده است. ما مشاهده کردیم که شبه مدل تحلیلی ارائه شده از ترانزیستور اثر میدانی نانو لوله کربنی توسط ما در طیف گسترده ای جهت بررسی عملکرد و محدوده کاری مدارهای دیجیتال بسیار مناسب می باشد و تا حدود بسیار زیادی با مدل فیزیکی ترانزیستور مطابقت دارد.
کلیدواژه ها:
انو لوله کربنی ، ترانزیستور اثر میدانی نانو لوله کربنی ، طراحی مدار معادل ترانزیستور نانو لوله کربنی ، مشخصه جریان - ولتاژ و بار- ولتاژ ، نرم افزار شبیه ساز SPICE
نویسندگان
محمدعلی اسکندری
دانشگاه آزاد اسلامی واحد بوشهر ، گروه برق الکترونیک ، بوشهر ، ایران
محمد عروتی نیا
دانشکده علمی کاربردی پست و مخابرات تهران، گروه برق الکترونیک، تهران، ایران
زهیر کردرستمی
دانشکده مهندسی برق و الکترنیک دانشگاه صنعتی شیراز، گروه برق الکترونیک ، شیراز ، ایران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :