Investigation of the As, Ga, B and N-doped (6,0) aluminumphosphide nanotubes interactions with H2S gas: DFT study
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 689
فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CHECONF03_427
تاریخ نمایه سازی: 14 آذر 1395
چکیده مقاله:
The adsorption behavior of H2S gas molecule on the surface of As, Ga, B and N-doped aluminum phosphide nanotubes are investigated by performing density functional theory calculations. The chemical potential for gas molecule and all studied complexes have been systematically explored. The AIM theory has been also used to examine the properties of the bond critical points: their electron densities andLaplacians. The As-doped nanotube with the adsorption energy of -9.82 kJ/mol has more tendency to the adsorption of H2S gas than the other doped nanotubes. According to the obtained results, the process of H2S molecule adsorption on the surface of As and N-doped AlPNT are exothermic
کلیدواژه ها:
نویسندگان
Maryam Zaboli
Department of chemistry, University of Birjand, Birjand, Iran
Heidar Raissi
Department of chemistry, University of Birjand, Birjand, Iran
Farzaneh Farzad
Department of chemistry, University of Birjand, Birjand, Iran
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :